Блоки питания GaN

Блоки питания GaN — новый вид сетевых зарядных устройств в основе которых лежит нитрид галлия. Он применяется для повышения энергоэффективности и снижения тепловыделения. Детали, созданные из альтернативного полупроводникового материала, обладают высокой теплопроводностью, стойкостью к высоким температурам и устойчивостью к кислотам и щелочам. По сравнению с предыдущими технологиями производства аккумуляторов, компоненты которых содержат кремний, зарядные устройства из нитрида галлия отличаются небольшим размером и обычно одновременным использованием сразу нескольких портов.
* Компактность — новые устройства формата GaN не нуждаются в огромном количестве компонентов, как кремниевые зарядки, а потому при сравнимых показателях мощности они чаще всего примерно на треть меньше по габаритам.
* Многофункциональность — обычно GaN-зарядки укомплектованы сразу несколькими разъёмами. Благодаря этому можно одновременно заряжать не одно устройство, а два, три или даже четыре. Это очень удобно.
* Энергоэффективность — запрещённая зона нитрида галлия составляет 3,4 эВ. Благодаря чему материал выдерживает более высокие напряжение и температуру. У GaN выше коэффициент полезного действия (КПД) и ниже энергопотребление.
* Минимальный нагрев — нитрид галлия менее подвержен тепловыделению, что становится одной из главных причин высокого КПД. Он безопаснее в использовании и проще работает с высокой мощностью в маленьком корпусе.
Ранее в 99% зарядных устройств использовался кремний. Нитрид галлия обрел технологическое лидерство в мире силовой электроники. Данный материал становится все известнее и в скором времени полностью заменит кремний в качестве основы для технологии передачи энергии. GaN-зарядки способны полностью заменить предыдущие зарядные устройства. Они совершили революционный переворот.



Нитрид галлия — бинарный полупроводник с прямой запрещённой зоной III–V класса, что идеально подходит для мощных транзисторов. С 1990-х годов материал широко используется для производства светодиодов (LED), полноцветных светодиодных дисплеев, радиочастотных компонентов и лазеров для DVD.


Да, отличительной чертой нитрида галлия является ширина запрещённой зоны, которая показывает, как идеально металл проводит электричество. GaN имеет запрещённую зону в районе 3,4 эВ, а кремний — 1,12 эВ. Это говорит о том, что нитрид галлия достаточно владеющий собой и прекрасно выдерживает напряжение и температуру, чем не могли похвастаться кремниевые транзисторы. Более того, нитрид галлия славится высокой частотой переключения, что позволяет использовать в силовых цепях катушки индуктивности и конденсаторы меньшего размера в силовых цепях. Благодаря этому блоки питания теперь могут иметь маленький размер и возможность включать в пользование сразу несколько портов.

Да, конфигурация из высокой мощности, минимальных габаритов и одновременного использования сразу нескольких портов мгновенно изменила правила игры в мире блоков.

Зарядные устройства формата GaN — отнюдь не новинка из 2021 года. С 2018-го некоторые компании уже пытались выпустить на массовый рынок несколько блоков питания, но для обычных пользователей они были довольно дорогие. На данный момент у производителей появилась возможность сделать устройства более бюджетными. Да согласны, ценовая политика данных зарядных устройств не дешевая. Наверное это и будет являться единственным их минусом. Но стоит заметить, стоимость GaN-зарядок не кажется такой уж и недосягаемой, если учесть тот факт, что она заменяет несколько блоков сразу. И да, люди часто готовы платить больше, за комфорт, экономию пространства и времени, а главное за качество.